数字集成电路和模拟ic的难度系数相较于大一些，由于好的商品所必须的像上边我常说的那般一个巨头级別的室内设计师太少了。除了天赋勤奋的要素以外，更必须长期的打磨抛光。因此 全球最强的数字集成电路高手，绝大多数全是饱经沧桑的老大爷。以一辈子的工作经验去渐渐地打磨抛光一款商品。

相相对而言，数字ic，数字电路设计，如果不考虑到独立加工工艺，立即用tsmc这类的代工生产得话，更非常容易拉起一直精英团队的，每一个人只必须致力于一项，以团结协作制胜了。

转换：将HDL/VHDL的描述，转换成独立于工艺的寄存器传输级（RTL）网标，其中这些RTL模块之间通过连线，实现互通互联。

映射：在综合环境中，目标工艺库（例如：TSMC40﹨TSMC22），将RTL级网标映射到目标工艺库上面，形成门级网标。

优化：设计人员添加相应的时序、面积约束。综合器以满足约束条件为目标，进行网标级别的优化。约束不同，然后得到的网标会不一样，模拟ic 数字ic，并且，DC的合成策略是时序优先，所以只有在满足时序约束的基础上，才会进行面积的优化。如果经过优化，依然不能满足时序要求，则在后面时序报告中，将会出现时序违例的路径，在前端综合过程中，我们一般只考虑建立时间（setup time）。设计人员需要分析时序违例的路径，进行各种处理，直到满足建立时间约束。

瑞泰威驱动IC厂家，是国内IC电子元器件的代理销售企业，华为数字ic面试，专业从事各类驱动IC、存储IC、传感器IC、触摸IC销售，品类齐全，具备上百个型号。

EM (electron migration，电子迁移)

“电子迁移”是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的金属原子移动的现象。因为此时流动的“物体”已经包括了金属原子，所以也有人称之为“金属迁移”。在电流密度很高的导体上，电子的流动会产生不小的动量，这种动量作用在金属原子上时，数字ic版图设计，就可能使一些金属原子脱离金属表面到处流窜，结果就会导致原本光滑的金属导线的表面变得凹凸不平，造成性的损害。这种损害是个逐渐积累的过程，当这种“凹凸不平”多到一定程度的时候，就会造成IC内部导线的断路与短路，而终使得IC报废。温度越高，电子流动所产生的作用就越大，其彻底破坏IC内一条通路的时间就越少，即IC的寿命也就越短，这也就是高温会缩短IC寿命的本质原因。

NBTI 、HCI、TDDB

这三个效应都跟MOSFET (metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor， 金属氧化物半导体场效应管) 原理有关。

罪魁祸首 ： SiOHSiOH

MOSFET原理是一个门极(Gate)靠静电势控制底下的导电沟道深度，电势高形成深沟道电流就大，电势低沟道消失就不导电了。稍微想深一层就知道这个门极导电底下的沟道也导电，那就必须中间有个绝缘介质把他们分开，否则就变成联通线不是晶体管了。再想深一层就知道这个绝缘介质的做法是把硅氧化做二氧化硅。而行外人一般想不到的是光二氧化硅还不够，工程上二氧化硅和基板硅之间附着很差，必须加入Si-H键把二氧化硅层拴住。所以实际上介质层和硅之间有一层不是纯SiO2SiO2是SiOHSiOH，问题由此产生。